[发明专利]半导体制造装置用加热器有效
| 申请号： | 201880002671.8 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110352182B | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 山名启太;曻和宏;鸟居谦悟 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/582 | 分类号： | C04B35/582;H05B3/10;H05B3/74 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体制造装置用加热器是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，AlN陶瓷基体含有O、C、Ti、Ca、Y作为杂质元素，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，在XRD图谱中没有确认到TiN相。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 加热器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置用加热器，其是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，所述AlN陶瓷基体在含有O、C、Ti、Ca、Y作为杂质元素的同时，含有铝酸钇相作为结晶相，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，并且在使用CuKα射线所测定的XRD图谱中没有确认到TiN相。
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