[发明专利]溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法有效
| 申请号： | 201880004047.1 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN111183243B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 增田爱美;清水正義;下宿彰 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于提供一种可形成兼具磁性颗粒间的良好的磁分离性和高矫顽力的磁性膜的溅射靶、磁性膜和磁性膜的制造方法。本发明的解决方案在于本发明的溅射靶以原子比换算计含有1at.％以上的Zn，其一部分或全部形成Zn‑Ti‑O和/或Zn‑Si‑O的复合氧化物，Pt为45at.％以下，余量包含Co和不可避免的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 磁性 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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