[发明专利]形成三维存储设备的栅极结构的方法

摘要

本公开提供了一种用于形成3D存储设备的栅极结构的方法。该方法包括：在衬底上形成交替绝缘体堆叠层；形成多个狭缝，每个狭缝垂直穿过交替绝缘体堆叠层并沿水平方向延伸；通过多个狭缝去除交替绝缘体堆叠层中的多个牺牲层，以形成多个沟槽；在每个沟槽中形成导体层；在所述狭缝的侧壁上形成第一隔离层以覆盖所述导体层，防止所述导体层被氧化；在第一隔离层的表面上形成第二隔离层，第二隔离层的材料与第一隔离层的材料不同；以及将导电材料沉积到狭缝中以形成多个导电壁，导电壁与导体层绝缘。

主权项

1.一种形成三维(3D)NAND存储设备的方法，包括：在衬底上形成包括多个介电层对的交替绝缘体堆叠层，所述多个介电层对中的每个介电层对包括第一介电层和与所述第一介电层不同的第二介电层；形成多个狭缝，每个狭缝垂直穿过所述交替绝缘体堆叠层并沿水平方向延伸；通过所述多个狭缝去除所述交替绝缘体堆叠层中的所述多个第二介电层，以形成多个沟槽；在所述多个沟槽中的每个沟槽中形成导体层；在所述多个狭缝的侧壁上形成第一隔离层以覆盖所述导体层，以防止所述导体层被氧化；在所述第一隔离层的表面上形成第二隔离层，所述第二隔离层的材料与所述第一隔离层的材料不同；以及将导电材料沉积到所述狭缝中以形成多个导电壁，其中，所述多个导电壁与所述导体层绝缘。