[发明专利]三维存储器件的贯穿阵列触点结构

摘要

公开了3D存储器件的贯穿阵列触点结构以及其制作方法的实施例。3D NAND存储器件包括具有外围电路的衬底，以及设置在衬底上的交替层堆叠。交替层堆叠包括具有交替介电质堆叠的第一区域，具有交替导体/介电质堆叠的第二区域，以及具有在交替导体/介电质堆叠的边缘上的阶梯结构的第三区域。存储器件还包括垂直延伸贯穿交替层堆叠的阻隔结构，以将第一区域与第二区域或第三区域横向地隔开；均垂直延伸贯穿交替导体/介电质堆叠的多个沟道结构和多个狭缝结构；以及在第一区域中的均垂直延伸贯穿交替介电质堆叠的多个贯穿阵列触点结构。至少一个贯穿阵列触点与外围电路电连接。

主权项

1.一种三维(3D)NAND存储器件，包括：设置在衬底上的交替层堆叠，所述交替层堆叠包括：包括交替介电质堆叠的第一区域，所述交替介电质堆叠包括多个介电层对，以及包括交替导体/介电质堆叠的第二区域，所述交替导体/介电质堆叠包括多个导体/介电层对；垂直延伸贯穿所述交替层堆叠的阻隔结构，以将所述第一区域与所述第二区域横向隔开；以及在所述第一区域中的多个贯穿阵列触点，每一个贯穿阵列触点垂直延伸贯穿所述交替介电质堆叠，其中，所述多个贯穿阵列触点中的至少一个贯穿阵列触点是与至少一个外围电路电连接的。