[发明专利]成膜方法有效
申请号: | 201880006036.7 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN110291221B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 室谷裕志;堀口由纪夫;菅原卓哉 | 申请(专利权)人: | 学校法人东海大学;株式会社新柯隆 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/22 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 孟伟青;庞东成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种机械强度高、折射率低的表面层的成膜方法。在基板(S)的表面重复下述工序而形成折射率小于成膜材料的折射率的膜,上述工序为:通过真空蒸镀法将蒸镀材料成膜的工序;和通过溅射将靶材构成物质成膜的工序。 | ||
搜索关键词: | 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成膜方法,其在基板的表面重复进行下述工序而形成折射率小于成膜材料的折射率的膜,所述工序为:通过真空蒸镀法将蒸镀材料成膜的工序;和通过溅射将靶材构成物质成膜的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于学校法人东海大学;株式会社新柯隆,未经学校法人东海大学;株式会社新柯隆许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880006036.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:蒸镀掩膜、蒸镀掩膜的对准方法及蒸镀掩膜固定装置
- 下一篇:硅靶材
- 同类专利
- 专利分类