[发明专利]聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子或其烧结体及其制造方法、锂离子电池用负极活性物质、锂离子电池用负极以及锂离子电池在审
申请号: | 201880006431.5 | 申请日: | 2018-01-10 |
公开(公告)号: | CN110191861A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 高野义人;木崎哲朗;山田浩纲;近藤正一;高桥彬 | 申请(专利权)人: | 捷恩智株式会社;捷恩智石油化学株式会社 |
主分类号: | C01B33/113 | 分类号: | C01B33/113;C01B33/02;H01M4/36;H01M4/48 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张晓霞;臧建明 |
地址: | 日本东京千代田区大手町二丁*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明为一种聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子或其烧结体,其包含硅纳米粒子及聚倍半硅氧烷,且具有Si‑H键,利用透射电子显微镜(TEM)所观察到的所述聚倍半硅氧烷的厚度为1nm以上且30nm以下,所述硅纳米粒子的体积基准平均粒径超过10nm且未满500nm,并且不含粒径为1000nm以上的粒子,所述聚倍半硅氧烷被覆所述硅纳米粒子,并化学键结在所述硅纳米粒子的表面。 | ||
搜索关键词: | 硅纳米粒子 聚倍半硅氧烷 锂离子电池用 烧结体 透射电子显微镜 负极活性物质 锂离子电池 化学键结 平均粒径 体积基准 负极 粒径 粒子 观察 制造 | ||
【主权项】:
1.一种聚倍半硅氧烷被覆硅纳米粒子或其烧结体,其包含:硅纳米粒子,体积基准平均粒径超过10nm且未满500nm,并且不含粒径为1000nm以上的粒子;及聚倍半硅氧烷,被覆所述硅纳米粒子,并化学键结在所述硅纳米粒子的表面,且具有Si‑H键,利用透射电子显微镜(TEM)所观察到的所述聚倍半硅氧烷的厚度为1nm以上且30nm以下。
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