[发明专利]光耦合装置以及光耦合装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880008049.8 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN110199212A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 中原基博;宮哲雄 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G02B6/255 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李成必;李雪春 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光耦合装置以及光耦合装置的制造方法。本发明的目的在于不使用V型槽基板而实现在光回路的端面与光纤之间的高效率的光耦合。本发明的光耦合装置，具备光纤(11)、高NA光导波路(12、22)、具有比高NA光导波路(12、22)的另一端更大的模场直径的模场变换部(PS)、以及具有保持高NA光导波路(12、22)和模场变换部(PS)的贯通孔的毛细管(13)，在贯通孔的端部配置高NA光导波路(12、22)的另一端。 | ||
| 搜索关键词： | 光耦合装置 光导波路 贯通孔 光纤 端部配置 高效率 光回路 光耦合 毛细管 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光耦合装置，其特征在于，包括：光纤；高NA光导波路，具有比所述光纤更高的数值孔径；模场变换部，具有比所述高NA光导波路的另一端更大的模场直径，使所述光纤与所述高NA光导波路耦合；以及毛细管，具有保持所述高NA光导波路以及所述模场变换部的贯通孔，所述高NA光导波路的另一端配置在所述贯通孔的端部。
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