[发明专利]半导体纳米材料在审
| 申请号： | 201880010816.9 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110352229A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | D·莫卡塔;A·霍尔茨曼;N·利迪希;Y·尼森霍尔茨 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;C01B25/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈晰 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及合成半导体材料的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体纳米材料 合成半导体 | ||
【主权项】：
1.用于合成III‑V半导体纳米材料的方法，其中所述方法包括以下步骤，(a)同时或各自单独地提供III‑V半导体纳米簇和第一配体，或包含第二配体的III‑V半导体纳米簇，其中相对于III‑V半导体纳米簇的总重量，所述第二配体的含量在40％至80％重量的范围内，更优选在50％至70％重量的范围内，甚至更优选55％至65％重量，至另一种化合物或另一种化合物的混合物中，以得到反应混合物，(b)将步骤(a)中获得的反应混合物的温度调节或保持在250℃至500℃的范围内，优选温度在280℃至450℃的范围内，更优选其为300℃至400℃，进一步更优选为320℃至380℃，以允许在混合物中产生和生长III‑V半导体纳米材料,(c)冷却反应混合物以停止步骤(b)中所述的III‑V半导体纳米材料的生长。
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