[发明专利]电子半导体器件，电子半导体器件的制备方法和化合物有效
| 申请号： | 201880012552.0 | 申请日： | 2018-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN110447117B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 乌尔里希·黑格曼;马库斯·赫默特 | 申请（专利权）人： | 诺瓦尔德股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 郭国清;宫方斌 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子器件，其包括在第一电极与第二电极之间的至少一个第一半导体层，所述第一半导体层包括：(i)至少一种第一空穴传输基质化合物，其由共价键合的原子组成，和(ii)至少一种选自金属硼酸盐络合物的p型电掺杂剂，其中所述金属硼酸盐络合物由至少一个金属阳离子和至少一个阴离子配体组成，所述阴离子配体由至少六个共价键合的原子组成，所述原子包含至少一个硼原子，其中所述第一半导体层是空穴注入层，电荷产生层或空穴传输层的空穴注入部分，其制备方法和相应的金属硼酸盐化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 半导体器件 制备 方法 化合物 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，其包括在第一电极与第二电极之间的至少一个第一半导体层，所述第一半导体层包含：(i)至少一种第一空穴传输基质化合物，其由共价键合的原子组成，和(ii)至少一种选自金属硼酸盐络合物的p型电掺杂剂，其中所述金属硼酸盐络合物由至少一个金属阳离子和至少一个阴离子配体组成，所述阴离子配体由至少六个共价键合的原子组成，所述原子包含至少一个硼原子，其中所述第一半导体层是空穴注入层，电荷产生层或空穴传输层的空穴注入部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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