[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管的制造方法、程序及投影掩模在审
| 申请号： | 201880013167.8 | 申请日： | 2018-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN110326087A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 水村通伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/027;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 洪秀川;马运刚 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一实施方式提供一种激光照射装置，其特征在于，包括：光源，其产生激光；投影透镜，其向粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；投影掩模图案，其配置于所述投影透镜，并由规定的投影图案使所述激光透射，所述投影掩模图案除包括与所述规定的区域对应的透射区域，还包括辅助图案，该辅助图案设于该透射区域的周边，并使所述激光透射。 | ||
| 搜索关键词： | 激光照射装置 薄膜晶体管 辅助图案 激光透射 投影透镜 投影掩模 透射区域 激光 图案 非晶硅薄膜 区域对应 区域照射 投影图案 粘附 光源 投影 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种激光照射装置，其特征在于，包括：光源，其产生激光；投影透镜，其向粘附于薄膜晶体管的非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光；以及投影掩模图案，其配置于所述投影透镜，并由规定的投影图案使所述激光透射，所述投影掩模图案不仅包括与所述规定的区域对应的透射区域，还包括辅助图案，该辅助图案设于所述透射区域的周边，并使所述激光透射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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