[发明专利]半导体存储装置、信息处理设备以及参考电势设置方法在审
| 申请号： | 201880014081.7 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110326048A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 黑田真实 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/14;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | [问题]为了提供一种能够设置高度可靠的参考电势的半导体存储装置。[解决方案]根据本发明的半导体存储装置设置有：电阻元件，用于生成要提供给感测放大器的参考电势；以及开关单元，其具有至少两种状态，包括用于通过向电阻元件注入电流来生成要提供给感测放大器的参考电势的状态和用于向感测放大器提供外部生成的参考电势的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 参考电势 半导体存储装置 感测放大器 电阻元件 信息处理设备 开关单元 注入电流 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：电阻元件，被配置为生成要提供给感测放大器的参考电势；以及开关单元，具有至少两种状态，包括通过将电流注入所述电阻元件而生成要提供给所述感测放大器的所述参考电势的状态以及将所述半导体存储装置外部生成的参考电势提供给所述感测放大器的状态。
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