[发明专利]用于异物除去的涂膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201880014924.3 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110366768B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 岸冈高广;田村护;臼井友辉;绪方裕斗 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C09D179/08;C09D201/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 曾祯;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 异物 除去 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种用于异物除去的涂膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，并能够形成溶解于显影液的涂膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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