[发明专利]辐射源在审

专利信息
申请号: 201880015450.4 申请日: 2018-02-07
公开(公告)号: CN110383955A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 谢特·泰门·范德波斯特;S·B·罗博尔;帕维尔·叶夫图申科 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H05G2/00 分类号: H05G2/00;G02F1/35
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王静
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 辐射源布置引起泵浦辐射(340)与气态介质(406)之间的相互作用,以通过较高次谐波产生(HHG)来产生EUV或软x‑射线辐射。通过检测(420/430)由状态感测辐射与介质之间的相互作用产生的第三辐射(422)来监控辐射源布置的操作状态。状态感测辐射(740)可以与第一辐射相同,或者可以被单独地施加。第三辐射可以例如是状态感测辐射的被真空气体边界反射或散射的部分,或者它可以是HHG过程的较低次谐波、或荧光、或者被散射的。传感器可以包括一个或更多个图像检测器,以便可以分析第三辐射的空间强度分布和/或角分布。基于所确定的操作状态的反馈控制稳定了HHG源的操作。
搜索关键词: 辐射 辐射源 状态感测 操作状态 散射 空间强度分布 图像检测器 泵浦辐射 边界反射 低次谐波 反馈控制 高次谐波 气态介质 射线辐射 真空气体 单独地 角分布 传感器 荧光 施加 监控 检测 分析
【主权项】:
1.一种辐射源布置,所述辐射源布置能够操作以引起第一辐射与介质之间的相互作用,从而通过较高次谐波的产生来产生第二辐射,所述辐射源布置还包括:至少一个传感器,所述至少一个传感器用于检测由状态感测辐射与所述介质之间的相互作用引起的第三辐射,所述第三辐射的特性与所述第二辐射的特性不同;和处理器,所述处理器用于至少部分地基于检测到的所述第三辐射来确定所述辐射源布置的操作状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880015450.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top