[发明专利]使用保护盖层蚀刻含铂薄膜有效
| 申请号： | 201880015666.0 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN110709966B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | S·梅耶;H·林克;M·米特斯塔德 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/469 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种微电子器件(200)是通过在该微电子器件(200)的衬底(202)上形成含铂层(220)来形成的。盖层(232)在含铂层(220)上形成，使得盖层(232)和含铂层(220)之间的界面不含氧化铂。盖层(232)在蚀刻含铂层(220)的蚀刻溶液中也是可蚀刻的。可替代地，含铂层(200)上的氧化铂可以在形成盖层(232)之前被去除。含铂层(220)可以用于形成硅化铂(226)。可以通过在含铂层(220)的顶部表面的一部分上形成硬掩模或掩模氧化铂(264)以阻挡湿蚀刻剂来图案化含铂层(220)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 保护 盖层 蚀刻 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种微电子器件，其包括：/n衬底；以及/n在所述衬底的顶部表面上的含铂层，所述含铂层具有的顶部表面与所述衬底的顶部表面相对，所述含铂层包括第一区段和与所述第一区段相邻的第二区段；/n其中：/n所述第一区段和所述第二区段之间的第一间隔，如从所述第一区段处的所述含铂层的所述顶部表面到所述第二区段处的所述含铂层的所述顶部表面所测量的，大于所述第一区段和所述第二区段之间的第二间隔，如从所述第一区段处的所述衬底的所述顶部表面到所述第二区段处的所述衬底的所述顶部表面所测量的；/n所述第一区段的宽度，如沿着所述第一区段中的所述含铂层的所述顶部表面所测量的，是所述第一区段的厚度的1/2；以及/n所述第二间隔是所述第一区段的厚度的1/2。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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