[发明专利]生片形成用剥离膜在审

专利信息
申请号: 201880016630.4 申请日: 2018-02-28
公开(公告)号: CN110382186A 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 佐藤庆一;深谷知巳 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: B28B1/30 分类号: B28B1/30;B32B27/00;C09J7/40
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王利波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的生片形成用剥离膜是用于形成生片的生片形成用剥离膜(1),其中,该剥离膜(1)具备基材(11)和设置于上述基材(11)的一面(11A)的剥离剂层(12),上述剥离剂层(12)由剥离剂形成用材料的固化物形成,该剥离剂形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(4)表示的含有两性离子的基团的含离子性基团的有机硅化合物。
搜索关键词: 剥离膜 生片 剥离剂层 剥离剂 基材 固化性化合物 有机硅化合物 离子性基团 两性离子 固化物
【主权项】:
1.一种生片形成用剥离膜,其用于形成生片,该生片形成用剥离膜具备:基材、和设置于所述基材的一面的剥离剂层,所述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成,该剥离剂形成用材料含有(A)固化性化合物、以及(B)具有下述通式(1)表示的结构单元及下述通式(2)表示的结构单元的含离子性基团的有机硅化合物,在所述通式(1)中,R1及R2任选相同或不同,分别表示碳原子数为1~6的烷基、或苯基,在所述通式(2)中,R3表示碳原子数为1~6的烷基、碳原子数为1~6的烷氧基、或苯基,L表示单键、亚烷基、二有机硅氧烷基、‑O‑基、或下述通式(3)表示的2价基团,Y表示下述通式(4)表示的含有两性离子的基团,在所述通式(3)中,l为1~4的整数,m为1~10的整数,在所述通式(4)中,R4及R5任选相同或不同,表示碳原子数1~6的烷基、苯基、碳原子数1~6的氟取代烷基、或碳原子数1~6的含羟基的羟基烷基,R4及R5任选形成环,且在形成环时表示亚烷基,n为3~6的整数。
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