[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201880016702.5 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110383493B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 织田明博;武田悠二郎;村重正悟;松木园广志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G09F9/30;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 有源矩阵基板具备基板(1)、包含多个第1TFT(10)的周边电路、以及多个第2TFT(20)，第1和第2TFT(10、20)各自具有：栅极电极(3A、3B)；栅极绝缘层(5)；氧化物半导体层(7A、7B)，其包含沟道区域(7Ac、7Bc)和位于沟道区域的两侧的源极接触区域(7As、7Bs)和漏极接触区域(7Ad、7Bd)；源极电极(8A、8B)，其与源极接触区域接触；以及漏极电极(9A、9B)，其与漏极接触区域接触，第1TFT和第2TFT的氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，第1TFT的沟道区域(7Ac)中的载流子浓度比第2TFT的沟道区域(7Bc)中的载流子浓度高。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵基板，具有：显示区域，其包含多个像素；以及非显示区域，其设置在上述显示区域的周边，上述有源矩阵基板的特征在于，具备：基板；多个第1TFT，其支撑于上述基板，设置在上述非显示区域；周边电路，其包含上述多个第1TFT；多个第2TFT，其支撑于上述基板，设置在上述显示区域或上述非显示区域；以及无机绝缘层，其覆盖上述多个第1TFT和上述多个第2TFT，上述多个第1TFT和上述多个第2TFT各自具有：栅极电极；栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；氧化物半导体层，其以隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对的方式配置，包含沟道区域和位于上述沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；以及源极电极和漏极电极，上述源极电极与上述氧化物半导体层的上述源极接触区域接触，上述漏极电极与上述氧化物半导体层的上述漏极接触区域接触，上述多个第1TFT和上述多个第2TFT的上述氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，上述多个第1TFT的上述沟道区域中的载流子浓度比上述多个第2TFT的上述沟道区域中的载流子浓度高。
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