[发明专利]摄像装置和X射线摄像装置有效
申请号: | 201880016980.0 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN110392927B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 泷田力也;中村涉;中野文树;富安一秀;中泽淳;森胁弘幸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/144;H01L29/786;H04N23/30;H04N25/70 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的一个方面的摄像装置具备:光电转换部,其将入射的光转换为电荷;以及检测部,其检测由光电转换部产生的电荷,光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管,检测部具备与多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个TFT,光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极,在半导体层的周缘部,在下部电极的厚度方向的至少一部分与半导体层之间设置有绝缘层,绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 射线 | ||
【主权项】:
1.一种摄像装置,其特征在于,具备:光电转换部,其将入射的光转换为电荷;以及检测部,其检测由上述光电转换部产生的上述电荷,上述光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管,上述检测部具备与上述多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个薄膜晶体管,上述光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极,在上述半导体层的周缘部,在上述下部电极的厚度方向的至少一部分与上述半导体层之间设置有绝缘层,上述绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的