[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880017225.4 | 申请日： | 2018-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110392934B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 福田将典 | 申请（专利权）人： | 株式会社钟化 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L21/288;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的光电转换元件的制造方法包括：准备半导体基板的工序，上述半导体基板具有n型半导体部和与上述n型半导体部一起构成二极管的p型半导体部；在上述n型半导体部的至少一部分形成n侧基底导电层的工序；在上述p型半导体部的至少一部分形成p侧基底导电层的工序；以及将上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层浸渍于电镀液中，并在上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层仅通过上述二极管电连接的状态下，通过对上述n侧基底导电层进行供电，从而在上述n侧基底导电层的至少一部分和上述p侧基底导电层的至少一部分形成镀层的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换元件的制造方法，包括：准备半导体基板的工序，上述半导体基板具有n型半导体部和与上述n型半导体部一起构成二极管的p型半导体部；在上述n型半导体部的至少一部分形成n侧基底导电层的工序；在上述p型半导体部的至少一部分形成p侧基底导电层的工序；以及将上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层浸渍于电镀液中，并在上述n侧基底导电层和上述p侧基底导电层仅通过上述二极管电连接的状态下，通过对上述n侧基底导电层进行供电，从而在上述n侧基底导电层的至少一部分和上述p侧基底导电层的至少一部分形成镀层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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