[发明专利]具有平台区域的三维存储器设备的相邻存储器阵列之间的连接区域及其制备方法

摘要

本发明提供了一种三维存储器阵列设备，该三维存储器阵列设备包括在一对存储器阵列区域(100)之间的中平面平台区域(TR1、TR2)。三维存储器阵列设备的导电层在一对存储器阵列区域之间连续延伸穿过连接区域(600)，该连接区域邻近中平面平台区域设置。接触导电层的接触通孔结构(86)设置在中平面平台区域中，并且延伸穿过交替堆叠并连接到下面的下部金属互连结构和半导体设备的直通存储器级通孔结构(20)可以穿过中平面平台区域和/或穿过连接区域设置。上部金属互连结构可以连接接触通孔结构和直通存储器级通孔结构。

主权项

1.一种半导体结构，所述半导体结构包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠，其中所述交替堆叠内的所述绝缘层和所述导电层连续延伸到以下中的每一者中：第一存储器阵列区域，所述第一存储器阵列区域包括延伸穿过所述交替堆叠的第一存储器堆叠结构；第二存储器阵列区域，所述第二存储器阵列区域包括延伸穿过所述交替堆叠的第二存储器堆叠结构，其中所述第二存储器阵列区域沿着第一水平方向与所述第一存储器阵列区域横向间隔开；第一平台区域，所述第一平台区域邻接到所述第一存储器阵列区域并且包括所述交替堆叠的第一阶梯式表面；第二平台区域，所述第二平台区域邻接到所述第二存储器阵列区域并且包括所述交替堆叠的第二阶梯式表面且沿着所述第一水平方向与所述第一平台区域间隔开，其中所述第一平台区域和所述第二平台区域位于所述第一存储器阵列区域和所述第二阵列区域之间；和连接区域，在所述连接区域内所述交替堆叠内的所述绝缘层和所述导电层中的每一者在所述第一存储阵列区域和所述第二存储器阵列区域之间连续延伸。