[发明专利]半导体器件、制造方法、摄像元件和电子设备有效
| 申请号： | 201880019844.7 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN110462800B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 津川英信 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 瓮芳;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及可以减少堆叠有两个以上半导体基板的堆叠结构的制造步骤的数量的半导体器件、制造方法、摄像元件和电子设备。半导体器件具有至少第一半导体基板和第二半导体基板堆叠的堆叠结构，在第一半导体基板中，第一布线层堆叠在第一半导体层上，在第二半导体基板中，第二布线层堆叠在第二半导体层上。第一半导体基板和第二半导体基板电气连接且至少穿过第一半导体层的贯通孔形成在嵌入式氧化膜内部，该嵌入式氧化膜是在执行形成于第一半导体层中的半导体元件的元件隔离时形成的。本技术能够应用于例如堆叠式半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 摄像 元件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：/n第一半导体基板，在所述第一半导体基板中，第一布线层堆叠在第一半导体层上；/n第二半导体基板，在所述第二半导体基板中，第二布线层堆叠在第二半导体层上；以及/n贯通孔，所述贯通孔在通过至少堆叠所述第一半导体基板和所述第二半导体基板而获得的堆叠结构中将所述第一半导体基板和所述第二半导体基板彼此电气连接，且所述贯通孔至少穿过所述第一半导体层，/n其中，所述贯通孔形成在嵌入式氧化膜中，所述嵌入式氧化膜是在执行形成于所述第一半导体层中的半导体元件的元件隔离时形成的。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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