[发明专利]半导体存储元件、半导体存储装置、半导体系统和控制方法在审
| 申请号： | 201880021407.9 | 申请日： | 2018-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN110476248A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 塚本雅则 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159;G11C11/22 |
| 代理公司： | 11257 北京正理专利代理有限公司 | 代理人： | 张雪梅<国际申请>=PCT/JP2018 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | [技术问题]为了提供一种允许以稳定的方式写入信息的半导体存储元件，半导体存储装置，半导体系统和控制方法。[技术方案]提供一种半导体存储元件，其包括：第一晶体管，信息写入到所述第一晶体管中，所述第一晶体管具有至少部分地包括铁电材料的栅极绝缘膜；以及第二晶体管，其通过源极或漏极的一个连接到所述第一晶体管的源极或漏极。在写入信息和擦除信息时所述第一晶体管的阈值电压小于0V。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体存储元件 写入信息 漏极 源极 半导体存储装置 半导体系统 栅极绝缘膜 擦除信息 铁电材料 信息写入 阈值电压 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储元件，其包括：/n第一晶体管，其具有至少部分地包括铁电材料的栅极绝缘膜，所述第一晶体管是写入信息的晶体管；以及/n第二晶体管，其在源极和漏极的一个处连接到所述第一晶体管的源极或漏极，/n所述第一晶体管在写入信息时具有小于0V的阈值电压，在擦除信息时具有小于0V的阈值电压。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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