[发明专利]用于多层存储器阵列的多板线架构有效
| 申请号： | 201880021868.6 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN110462740B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | F·贝代斯基 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及用于多层存储器阵列的多板线架构。本发明描述用于多层存储器阵列的多板线架构的方法、系统及装置。存储器装置可包含上覆于衬底层上的两个或更多个三维铁电存储器单元阵列，所述衬底层包含支持电路的各种组件，例如解码器及感测放大器。所述阵列的每一存储器单元可具有铁电容器及选择器装置。多板线或其它存取线可经布线通过所述装置的各个层以支持对那些层内的存储器单元的存取。板线或其它存取线可通过间距上通孔OPV结构耦合在支持电路与存储器单元之间。OPV结构可包含选择器装置以在多层选择性方面提供额外自由度。可采用不同数目个板线及存取线以适应所述铁电容器的不同配置及定向。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多层 存储器 阵列 多板线 架构 | ||
【主权项】：
1.一种电子存储器装置，其包括：/n第一存储器单元阵列，其配置成交叉点架构，所述第一阵列包括多个区段，所述第一阵列的每一单元包括铁电存储器单元，所述铁电存储器单元与定向在第一方向上的存取线及定向在基本上正交于所述第一方向的第二方向上的存取线耦合；/n第一板线，其定向在所述第一方向上且与所述第一阵列的两个或更多个区段中的铁电存储器单元耦合；/n第二存储器单元阵列，其配置成所述交叉点架构，所述第二阵列包括多个区段，其中所述第一阵列上覆于所述第二阵列上，所述第二阵列的每一单元包括铁电存储器单元，所述铁电存储器单元与定向在所述第一方向上的存取线及定向在所述第二方向上的存取线耦合；/n多个第二板线，其定向在所述第一方向上，所述第二板线中的每一者与所述第一板线及所述第二阵列的区段的铁电存储器单元耦合；及/n支持电路，其与所述第一阵列及所述第二阵列耦合。/n
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