[发明专利]基板处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 201880022445.6 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110476225A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 高桥信博;浅田泰生;松永淳一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇<国际申请>=PCT/JP2018 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在相对于Si层、SiO2层以及SiN层中的至少一种层选择性地对形成于晶圆的SiGe层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。在交替地层叠的SiGe层(100)和Si层(101)在凹部(103)内露出的晶圆(W)中通过侧向蚀刻对SiGe层(100)进行蚀刻时，向晶圆W同时供给ClF3气体和HF气体。因此，各SiGe层(100)的蚀刻速度变得均匀，能够使各SiGe层(100)的蚀刻量一致。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 晶圆 蚀刻量 侧向蚀刻 交替地层 凹部 种层 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，是对硅层、氧化硅层及氮化硅层中的至少一种层以及硅锗层露出的基板中的硅锗层进行蚀刻的蚀刻方法，所述蚀刻方法的特征在于，包括以下工序：/n在真空气氛的处理容器内对所述基板同时供给含氟气体和三氟化氯气体。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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