[发明专利]TFT基板、TFT基板的制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201880022560.3 | 申请日： | 2018-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN110476200B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 冈部达;锦博彦;家根田刚士 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;G02F1/1343;G02F1/1368;H01L27/32;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/02 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 叶乙梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在下层部和上层部分别包括半导体膜的TFT基板中，实现了下层部的导电体和上层部的导电体之间的稳定连接。在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜(6)、与第一半导体膜相比靠上层的第一导电体(M1)、与第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜(18)、与层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜(26)、与第二半导体膜相比靠上层的第二导电体(J2)、与第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜(32)、与有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体(M3)、穿过有机绝缘膜的通孔(H32)以及层间绝缘膜的通孔(H18)，且底面到达第一导电体的接触孔(CH)，有机绝缘膜的通孔的开口表面大于层间绝缘膜的通孔的开口表面，第二导电体(J2)以及第三导电体(M3)以与接触孔的开口表面(K)重叠的方式形成，第三导电体(M3)与第一导电体(M1)以及第二导电体(J2)接触。 | ||
| 搜索关键词： | tft 基板 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板，其特征在于，在基板上包括作为TFT沟道的第一半导体膜、与所述第一半导体膜相比靠上层的第一导电体、与所述第一导电体相比靠上层的层间绝缘膜、与所述层间绝缘膜相比靠上层的第二半导体膜、与所述第二半导体膜相比靠上层的第二导电体、与所述第二导电体相比靠上层的有机绝缘膜、与所述有机绝缘膜相比靠上层的第三导电体、穿过所述有机绝缘膜的通孔以及所述层间绝缘膜的通孔，且底面到达所述第一导电体的接触孔，/n所述有机绝缘膜的通孔的开口表面大于所述层间绝缘膜的通孔的开口表面，/n所述第二导电体以及所述第三导电体以与所述接触孔的开口表面重叠的方式形成，所述第三导电体与所述第一导电体以及所述第二导电体接触。/n
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