[发明专利]功率模块及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201880022963.8 申请日: 2018-03-28
公开(公告)号: CN110476244A 公开(公告)日: 2019-11-19
发明(设计)人: 畑野舞子;大塚拓一 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: H01L23/36 分类号: H01L23/36;H01L21/52;H01L21/60;H01L23/12;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78
代理公司: 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 陈彦;张默<国际申请>=PCT/JP20
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 功率模块(1)具备平板状的厚铜基板(2)、配置在厚铜基板(2)上的导电性的应力缓和金属层(24U)、配置在应力缓和金属层(24U)上的半导体器件(22)和配置在应力缓和金属层(24U)上的镀层(30),半导体器件(22)隔着镀层(30)与应力缓和金属层(24U)接合。厚铜基板(2)具备第1厚铜层(14)和配置在第1厚铜层(14)上的第2厚铜层(18),应力缓和金属层(24U)配置在第2厚铜层(18)上。半导体器件(22)的一部分嵌入应力缓和金属层(24U)并固着。半导体器件(22)与应力缓和金属层(24U)的接合面通过扩散接合或固相扩散接合而一体化。提供一种能够不增加热阻而提高接合的可靠性的功率模块。
搜索关键词: 应力缓和 金属层 半导体器件 厚铜层 接合 厚铜 基板 配置 功率模块 镀层 导电性 固相扩散 扩散接合 接合面 平板状 固着 热阻 嵌入 一体化
【主权项】:
1.一种功率模块,其特征在于,/n具备平板状的厚铜基板、配置在所述厚铜基板上的导电性的应力缓和金属层、以及配置在所述应力缓和金属层上的半导体器件,/n所述半导体器件与所述应力缓和金属层接合。/n
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