[发明专利]制造多个发射辐射的半导体器件的方法和发射辐射的半导体器件在审
| 申请号： | 201880023660.8 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN110494991A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 伊瓦尔·通林;托马斯·施勒雷特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/48 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春水;丁永凡<国际申请>=PCT/EP |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供辅助载体(1，1’)，‑将多个发射辐射的半导体芯片(2)借助其背侧施加到辅助载体(1，1’)上，‑施加第一灌封料(8)，使得产生半导体芯片复合件，以及‑借助于锯割将半导体芯片复合件分别在两个半导体芯片(2)之间分离，其中辅助载体(1，1’)不分开，使得至少在半导体芯片(2)的侧面上分别产生第一灌封料(8)的层。此外，提出另一方法和一种发射辐射的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 发射辐射 辅助载体 半导体器件 复合件 灌封料 施加 侧面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造多个发射辐射的半导体器件的方法，所述方法具有如下步骤：/n-提供辅助载体(1，1’)，/n-将多个发射辐射的半导体芯片(2)借助其背侧施加到所述辅助载体(1，1’)上，/n-施加第一灌封料(8)，使得产生半导体芯片复合件，以及/n-借助于锯割将所述半导体芯片复合件分别在两个半导体芯片(2)之间分离，其中不分开所述辅助载体(1，1’)，使得至少在所述半导体芯片(2)的侧面上分别产生所述第一灌封料(8)的层。/n
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