[发明专利]晶粒处理在审

申请号：	201880025616.0	申请日：	2018-04-02
公开（公告）号：	CN110546754A	公开（公告）日：	2019-12-06
发明（设计）人：	赛普里恩·艾米卡·乌佐	申请（专利权）人：	英帆萨斯邦德科技有限公司
主分类号：	H01L21/78	分类号：	H01L21/78;H01L21/56;H01L21/76;H01L21/67;H01L25/065;H01L23/48
代理公司：	11408 北京寰华知识产权代理有限公司	代理人：	何尤玉;郭仁建<国际申请>=PCT/US
地址：	美国***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	代表性实施方式提供用于处理集成电路(IC)晶粒的技术及系统。经制备用于紧密的表面结合(至其他晶粒、至基板、至另一表面等)的晶粒可运用最小处置来处理，以防止该些晶粒的表面或边缘的污染。该些技术包括当该些晶粒在切割片或其他装置处理膜或表面上时处理晶粒。系统包括经配置以同时执行多个清洁程序的整合式清洁组件。
搜索关键词：	晶粒技术及系统表面结合其他装置清洁程序清洁组件处理膜切割片整合式基板制备集成电路配置污染
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【主权项】：

1.一种形成微电子组装件的方法，其包含：/n在基板的一个或两个表面上提供保护层；/n将所述基板固定至载体上；/n将所述基板单一化成固定至所述载体的一定数量的晶粒；/n当所述些晶粒固定至所述载体时处理所述晶粒的至少一第一表面；/n围绕第一晶粒的周边切割所述载体，所述切割形成固定至所述第一晶粒的第二表面的所述载体的一部分；/n当所述载体的所述部分固定至所述第一晶粒的所述第二表面时自所述一定数量的晶粒移除所述第一晶粒；以及/n将所述第一晶粒附接至基板的经制备表面，所述第一晶粒的所述第一表面附接至所述基板的所述经制备表面。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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