[发明专利]存储器单元的竖向延伸串的阵列及形成存储器阵列的方法

摘要

一种存储器单元的竖向延伸串的阵列包括交替的绝缘层级与字线层级的垂直堆叠。所述字线层级具有对应于控制栅极区域的终端。个别存储器单元的电荷存储材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区域中的个别者竖向延伸且并不沿着所述绝缘层级竖向延伸。所述个别存储器单元的电荷阻挡区域横向沿着所述字线层级的所述个别控制栅极区域竖向延伸，通过所述电荷阻挡区域阻挡所述个别控制栅极区域与所述电荷存储材料之间的电荷迁移。沟道材料沿着所述堆叠竖向延伸且通过绝缘电荷通路材料与所述电荷存储材料横向间隔开。存储器单元的所述竖向延伸串中的个别者的所有所述电荷存储材料从存储器单元的所述个别竖向延伸串的所有所述绝缘电荷通路材料横向向外。本发明揭示包含方法实施例的其它实施例。

主权项

1.一种形成存储器阵列的方法，其包括：/n形成交替的第一层级与第二层级的垂直堆叠，所述第一层级包括第一材料，所述第二层级包括第二材料，开口竖向延伸穿过所述第一及第二层级；/n在所述开口中形成第三材料的垂直间隔区域，在所述开口中所述第三材料的所述区域中的个别者沿着所述第二层级中的所述第二材料竖向延伸；/n在所述开口中相对于所述第一层级选择性地竖向沿着所述第三材料的所述间隔区域形成电荷存储材料；/n在所述开口中竖向沿着所述第二层级中的所述电荷存储材料形成电荷通路材料；/n在所述开口中竖向沿着所述电荷通路材料且竖向沿着所述第一层级形成沟道材料；及/n用传导材料来代替所述第二层级中的所述第二材料中的至少一些且在所述开口中的个别者中形成存储器单元的竖向延伸串；所述存储器单元个别地包括包含所述传导材料的控制栅极区域、电荷阻挡区域、所述电荷存储材料、所述电荷通路材料及所述沟道材料。/n