[发明专利]自我选择存储器中的编程加强有效
| 申请号： | 201880027808.5 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110574114B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺;I·托尔托雷利;F·佩里兹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及自我选择存储器中的编程加强。本发明描述用于存储器单元中的编程加强的方法、系统及装置。经不对称塑形的存储器单元可加强特定电极处或附近的离子拥挤，此可经利用以用于精确地读取所述存储器单元的经存储值。编程所述存储器单元可使所述存储器单元内的元件分离，从而引起离子迁移朝向特定电极。所述迁移可取决于所述存储器单元的极性，且可在所述存储器单元内产生高电阻率区及低电阻率区。可通过跨所述存储器单元施加电压来感测所述存储器单元。所得电流可接着遇到所述高电阻率区及低电阻率区，且所述区的定向可表示所述存储器单元的第一逻辑状态或第二逻辑状态。 | ||
| 搜索关键词： | 自我 选择 存储器 中的 编程 加强 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其包括：/n硫属化物材料存储器存储元件，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面相比于所述第一表面具有较大的面积；/n第一电极，其与所述第一表面耦合；及/n第二电极，其与所述第二表面耦合，且经由所述硫属化物材料存储器存储元件与所述第一电极进行电子连通。/n
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