[发明专利]用于金属栅极的低厚度相关功函数nMOS整合在审
| 申请号： | 201880028696.5 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110582845A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 马伯方;赛沙德利·甘古利;陈世忠;拉杰什·沙西亚那拉亚南;阿达西·巴苏;董琳;吉田尚美;柳尚澔;吴立其 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖层 金属层 膜堆叠 高k介电层 金属覆盖层 铝界面 基板 | ||
【主权项】：
1.一种膜堆叠，包括：/n在基板上的高k介电层；/n在所述高k介电层上的高k覆盖层；/n在所述高k覆盖层上的n金属层，所述n金属层具有与所述高k覆盖层相邻的富铝界面，所述富铝界面在所述高k覆盖层与所述n金属层之间或在所述高k覆盖层与所述高k介电层之间；及/n在所述n金属层上的n金属覆盖层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
