[发明专利]远程等离子体氧化室有效
申请号: | 201880029034.X | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN110612593B | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
发明(设计)人: | 克里斯托弗·S·奥尔森;埃里克·克哈雷·施诺;劳拉·哈夫雷;阿古斯·索菲安·查德拉;柴塔尼亚·A·普拉萨德 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开内容的实施方式一般涉及一种用于高深宽比结构的共形氧化的处理腔室。处理腔室包括位于腔室主体的第一侧中的衬里组件和位于基板支撑部中的两个泵送口,基板支撑部邻近腔室主体的与第一侧相对的第二侧。衬里组件包括分流器,以引导流体流离开设置在处理腔室的处理区域中的基板的中心。衬里组件可由石英制成,以尽量减少与处理气体(例如自由基)的相互作用。该衬里组件旨在减少自由基的流动收缩,以致自由基浓度和通量增加。可单独控制两个泵送口以调节通过处理腔室的处理区域的自由基的流动。 | ||
搜索关键词: | 远程 等离子体 氧化 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体处理腔室的衬里构件,包括:/n第一端;/n第二端,所述第二端相对于所述第一端;和/n通道,所述通道形成于所述衬里构件的表面中且从所述第一端延伸到所述第二端,其中所述通道在所述第二端处比在所述第一端处更宽,且在所述第二端处比在所述第一端处更浅。/n
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