[发明专利]用于CVD反应器的基座及其应用以及基板支架装置

摘要

本发明涉及一种用于CVD反应器的基座(1)，其由平坦的、圆盘形的基体构成，所述基体在宽侧(2)上具有通道(5)，所述通道分别布置在一个或多个圆形的分别在一个平面内延伸的用于向基板支架(13)上热传递的表面段(3)内、围绕中心(Z)螺旋线延伸且构造为朝所述平面敞开的凹陷部，所述通道在其相对于圆形的表面段(3)的中心(Z)的径向内端部(6)的区域内分别具有通道开口(7)，所述通道开口与布置在气体输入管路(8)的端部上的供给口(9)流体连通。附加地，在表面段(3)内布置有一个或多个影响局部热传递的干扰元件，所述干扰元件设计为在所述平面内敞开的凹陷部(10)或者插入凹陷部(10)内的嵌件(11)。本发明还涉及前述基座在CVD反应器中的应用以及具有前述基板支架的基板支架装置。

主权项

1.一种用于CVD反应器的基座(1)，所述基座(1)由平坦的基体(1)构成，所述基体具有至少一个布置在宽侧(2)上的圆形的表面段(3)，基板支架(13)支承在所述表面段上，其中，所述表面段(3)具有朝向基板支架(13)的方向敞开的通道(5)，所述通道与布置在气体输入管路(8)的端部上的供给口(9)流体连通，从而通过向各个通道(5)内供给气流而将基板支架(13)抬升到通风位置并且旋转驱动基板支架(13)，其特征在于，在所述表面段(3)内布置有一个或多个影响局部热传递的干扰元件，所述干扰元件构造为凸起部、在所述平面内敞开的凹陷部(10)或者插入凹陷部(10)的嵌件(11)，其中，敞开的凹陷部(10)设计为，在向所述通道(5)内供给气流时在所述凹陷部(5)内没有形成气体流动。/n