[发明专利]用于硬掩模及其他图案化应用的高密度低温碳膜在审

申请号：	201880030287.9	申请日：	2018-05-15
公开（公告）号：	CN110622280A	公开（公告）日：	2019-12-27
发明（设计）人：	E·文卡塔苏布磊曼聂;S·E·戈特海姆;杨扬;P·曼纳;K·拉马斯瓦米;T·越泽;A·B·玛里克;S·冈迪科塔	申请（专利权）人：	应用材料公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01J37/32;G03F7/20;H01L21/033;H01L21/683
代理公司：	31100 上海专利商标事务所有限公司	代理人：	汪骏飞;侯颖媖
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于‑500MPa的应力。
搜索关键词：	基板处理腔室静电吸盘沉积等离子体含烃气体混合物类金刚石碳膜金刚石碳膜处理基板高密度膜偏压施加图案化层级集成电路流动应用制造
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【主权项】：

1.一种处理基板的方法，包含以下步骤：/n使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板，其中所述基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下；以及/n通过将第一RF偏压施加于所述静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在所述基板上沉积类金刚石碳膜，其中所述类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于-500MPa的应力。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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