[发明专利]制备用于半导体结构的支撑件的方法有效
| 申请号： | 201880030608.5 | 申请日： | 2018-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110612597B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 金勇必 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王万影;王小东 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备支撑件(1)的方法，该方法包括：将衬底(3)放置在沉积系统的腔室中的承托件上，承托件具有不被衬底覆盖的暴露表面；使包含碳的前体在沉积温度下流入腔室，以便在衬底的暴露面上形成至少一层(2a、2b)，而同时在承托件的暴露表面上沉积碳和硅的物种。该方法紧接在从腔室中移除衬底(3)之后还包括第一蚀刻步骤，所述第一蚀刻步骤包括：使蚀刻气体在不高于沉积温度的第一蚀刻温度下流入腔室，以便去除在承托件上沉积的碳和硅的物种中的至少一些。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 用于 半导体 结构 支撑 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备支撑件(1)的方法，该方法包括以下步骤：/n将衬底(3)放置在沉积系统的腔室中的承托件上，所述承托件具有不被所述衬底覆盖的暴露表面；/n使包含碳的前体和包含硅的前体在范围为800℃至1100℃之间的沉积温度下流入所述腔室，以便在所述衬底的暴露面上形成至少一层(2a、2b)，而同时在所述承托件的所述暴露表面上形成碳和硅的沉积物；以及/n紧接在从所述腔室中移除所述衬底(3)之后，通过使蚀刻气体在不高于所述沉积温度的第一蚀刻温度下流入所述腔室来应用第一蚀刻步骤，以便去除在所述承托件上的所述碳和硅的沉积物中的至少一些。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
