[发明专利]透明导电膜在审
| 申请号： | 201880035178.6 | 申请日： | 2018-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN110678938A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 须田具和;高桥明久 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;C01G35/00;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 邵秋雨;刘继富 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种透明导电膜，其透明性和导电性优异，进一步具有高的硬度。本发明的一个实施方式的透明导电膜为成膜于基底上的透明导电膜。上述透明导电膜包含氧化锡、1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽以及0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌。这样的透明导电膜由于包含氧化锡、1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽以及0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌，因此具有高的硬度，进一步地，透明性和导电性优异。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电膜 导电性 氧化锡 氧化钽 氧化铌 成膜 基底 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电膜，成膜于基底上，包含/n氧化锡、/n1.5wt％以上且2.5wt％以下的氧化钽、以及/n0.3wt％以上且0.7wt％以下的氧化铌。/n
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