[发明专利]半导体激光器器件和用于制造半导体激光器器件的方法有效
| 申请号： | 201880035952.3 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110710070B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·武伊齐克;胡贝特·哈尔布里特;托马斯·施瓦茨 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/023 | 分类号： | H01S5/023;H01S5/028;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;丁永凡 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种半导体激光器器件，具有：‑半导体芯片(1)，其设计为发射激光辐射(6)，‑包覆部(2)，其是电绝缘的并且局部覆盖半导体芯片(1)，和‑连接层(3)，其将半导体芯片(1)与第一连接部位(43a)导电地连接，其中‑半导体芯片(1)包括覆盖面(1a)、底面(1b)、第一端面(1c)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)，‑第一端面(1c)设计为耦合输出激光辐射(6)，‑包覆部(2)至少局部在覆盖面(1a)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)处覆盖半导体芯片(1)，以及‑连接层(3)在包覆部(2)上从覆盖面(1a)伸展至第一连接部位(43a)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器器件，具有：/n-半导体芯片(1)，所述半导体芯片设计为发射激光辐射(6)，/n-包覆部(2)，所述包覆部是电绝缘的并且局部覆盖所述半导体芯片(1)，和/n-连接层(3)，所述连接层将所述半导体芯片(1)与第一连接部位(43a)导电地连接，其中/n-所述半导体芯片(1)包括覆盖面(1a)、底面(1b)、第一端面(1c)、第二端面(1d)、第一侧面(1e)和第二侧面(1f)，/n-所述第一端面(1c)设计为耦合输出激光辐射(6)，/n-所述包覆部(2)至少局部地在所述覆盖面(1a)、所述第二端面(1d)、所述第一侧面(1e)和所述第二侧面(1f)处覆盖所述半导体芯片(1)，以及/n-所述连接层(3)在所述包覆部(2)上从所述覆盖面(1a)伸展至所述第一连接部位(43a)。/n
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