[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201880038561.7 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110770879B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 和食雄大 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的基板处理装置包含：密接强化部(610)，对基板(W)的一面供给包含有机材料的密接强化剂；照射部(620)，对已通过密接强化部(610)供给密接强化剂的基板(W)的一面照射紫外线；及成膜部，通过对已利用照射部(620)照射紫外线的基板(W)的一面供给处理液，而在基板(W)的一面形成处理膜。本发明的基板处理方法包含如下步骤：通过密接强化部(610)对基板(W)的一面供给包含有机材料的密接强化剂；对已通过所述密接强化部(610)供给所述密接强化剂的基板(W)的所述一面照射紫外线；及通过对已利用所述照射部(620)照射紫外线的基板(W)的所述一面供给处理液，而在基板(W)的所述一面形成处理膜。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，包含：/n密接强化部，对基板的一面供给包含有机材料的密接强化剂；/n照射部，对已通过所述密接强化部供给所述密接强化剂的基板的所述一面照射紫外线；及/n成膜部，通过对已利用所述照射部照射紫外线的基板的所述一面供给处理液，而在基板的所述一面形成处理膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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