[发明专利]用以改善氮化镓间隔件厚度均匀度的增强型氮化镓晶体管有效
| 申请号： | 201880039807.2 | 申请日： | 2018-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN110754001B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 曹建军;R·比奇;赵广元;Y·萨里帕里;唐智凯 | 申请（专利权）人： | 宜普电源转换公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/72 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 赵楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种增强型晶体管栅极结构，其包括设置在障壁层上面的GaN间隔件层，在该间隔件层上面的第一pGaN层，设置在该第一p‑GaN层上面的p型含铝III‑V族材料(例如，pAlGaN或pAlInGaN)的蚀刻终止层，与设置在该蚀刻终止层上面厚度大于第一p‑GaN层的第二p‑GaN层。晶圆上源于蚀刻该蚀刻终止层和底下薄pGaN层的任何变化远小于由蚀刻厚pGaN层引起的变化。因此，本发明的方法在障壁层上面留下在晶圆上有最小变化的GaN薄层。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 改善 氮化 间隔 厚度 均匀 增强 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种增强型晶体管栅极结构，包括：/n障壁层；/n间隔件层，所述间隔件层设置在所述障壁层上面，所述间隔件层包括III-V族材料；/n第一层，所述第一层包括设置在所述间隔件层上面的p型或补偿III-V族材料；/n蚀刻终止层，所述蚀刻终止层包括设置在所述间隔件层和包括p型或补偿III-V族材料的所述第一层上面的p型含铝III-V族材料；与/n第二层，所述第二层包括位于所述蚀刻终止层上面的p型或补偿III-V族材料，包括p型或补偿III-V族材料的所述第二层比包括p型或补偿III-V族材料的所述第一层厚；/n其中所述间隔件层在所述蚀刻终止层下面的厚度大于在周围区域的厚度，并且所述间隔件层在所述周围区域中有本质上均匀的厚度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宜普电源转换公司，未经宜普电源转换公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880039807.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管装置及其制造方法
- 下一篇：高电子迁移率晶体管
- 同类专利
- 专利分类
