[发明专利]命令地址输入缓冲器偏置电流减小有效
| 申请号： | 201880040451.4 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110800054B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | G·霍韦 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器装置(10)可包含存储数据的一或多个存储器组(12)和一或多个输入缓冲器(50)。所述输入缓冲器(50)可接收存取所述一或多个存储器组(12)的命令地址信号。所述存储器装置(10)可在第一操作模式或第二操作模式中的一个中操作。所述一或多个输入缓冲器(50)可当所述存储器装置(10)在所述第一操作模式中时在第一偏置电流下操作，或当所述存储器装置(10)在所述第二操作模式中时在第二偏置电流下操作，并且所述第一偏置电流可大于所述第二偏置电流。 | ||
| 搜索关键词： | 命令 地址 输入 缓冲器 偏置 电流 减小 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其包括：/n一或多个存储器组，其经配置以存储数据；以及/n一或多个输入缓冲器，其经配置以接收存取所述一或多个存储器组的命令地址信号；/n其中所述存储器装置经配置以在第一操作模式和第二操作模式中的每一个中操作；并且/n其中所述一或多个输入缓冲器经配置以当所述存储器装置在所述第一操作模式中时在第一偏置电流下操作，且经配置以当所述存储器装置在所述第二操作模式中时在第二偏置电流下操作，并且其中所述第一偏置电流大于所述第二偏置电流。/n
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