[发明专利]切割用基体膜在审
| 申请号： | 201880043105.1 | 申请日： | 2018-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110800084A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 栗原启太;末藤壮一;塚田章一 | 申请（专利权）人： | 郡是株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B32B27/32;B32B27/40;C09J7/29 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 曹阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种切割用基体膜，其因热所致的复原性高且机架回收性优异。本发明的目的还在于提供一种切割用基体膜，即使在于低温条件下实施了扩展的情况下，该切割用基体膜也均匀地伸展。一种切割用基体膜，其包含按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成，表层及背面层含有包含聚乙烯系树脂的树脂组合物，中间层含有包含聚氨酯系树脂的树脂组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 基体膜 切割 树脂组合物 背面层 中间层 聚氨酯系树脂 聚乙烯系树脂 低温条件 复原性 回收性 伸展 | ||
【主权项】：
1.一种切割用基体膜，其包含按照表层/中间层/背面层的顺序层叠而成的构成，/n表层及背面层含有包含聚乙烯系树脂的树脂组合物，/n中间层含有包含聚氨酯系树脂的树脂组合物。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郡是株式会社，未经郡是株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880043105.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含有钛、硅及氮的多区域扩散势垒
- 下一篇：硅晶圆的抛光方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
