[发明专利]半导体装置、以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880043274.5 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110832628A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 佐藤祐司;浦地刚史;藤田淳;吉田基 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/48;H01L23/522;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 肖靖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 得到抑制使用铜的电极与使用铜的引线的接合形成中的铜电极与引线的接合不良的产生的半导体装置。一种半导体装置，具备：半导体基板(1)；铜电极层(2)，形成于半导体基板(1)上；金属薄膜层(3)，形成于铜电极层(2)上，与外周部相比在内侧具有使铜电极层(2)露出的开口部(31)，所述金属薄膜层(3)防止铜电极层(2)的氧化；以及以铜为主要成分的布线构件(4)，具有覆盖开口部(31)的接合区域(20)，所述布线构件(4)接合于金属薄膜层(3)且在开口部(31)处接合于铜电极层(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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