[发明专利]导电膜的制造方法、使用了该制造方法的场效应型晶体管的制造方法及无线通信装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880043692.4 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN110809807A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 河井翔太;胁田润史;村濑清一郎 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01L21/28;H01L21/288;H01L21/336;H01L27/11507;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30;H01Q1/38;H05K3/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李渊茹;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供导电膜、和不伴随高温并且长时间的加热处理而通过短时间的光照射可以获得导电性良好的导电膜或导电图案的导电膜的制造方法、以及使用了这样的导电膜的制造方法的场效应型晶体管的制造方法、和无线通信装置的制造方法。用于达到上述目的的本发明的导电膜的制造方法是下述导电膜的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布含有用碳单质进行了表面被覆的导电性粒子的导电性糊剂而形成涂布膜的工序；以及向上述涂布膜照射闪光的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 制造 方法 使用 场效应 晶体管 无线通信 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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