[发明专利]在成像技术中估计振幅及相位不对称性以在叠加计量中达到高精准度有效
| 申请号： | 201880044567.5 | 申请日： | 2018-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN110870052B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | T·马西安诺;N·古特曼;Y·帕斯卡维尔;G·科恩;V·莱温斯基 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供通过识别其中(若干)对应计量测量信号具有最小振幅不对称性的(若干)计量测量参数值而导出所述(若干)值的计量方法。如所揭示选择所述测量参数值明显降低测量不精准度。例如，可检测波长值及/或焦点值以指示最小振幅不对称性及/或最小相位不对称性。在某些实施例中，提供最小振幅不对称性的波长值也提供对焦点的最小信号灵敏度。开发的度量可进一步用于指示跨晶片及批次的工艺稳健性。在一些实施例中，可通过振幅不对称性的离焦横向化及具有最小振幅不对称性的参数值的检测而增强成像精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 技术 估计 振幅 相位 对称性 叠加 计量 达到 精准 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
