[发明专利]到系统衬底中的微装置集成在审
申请号: | 201880047604.8 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN110892530A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 格拉姆雷扎·查济;埃桑诺拉·法蒂 | 申请(专利权)人: | 维耶尔公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/36;H01L33/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张晓媛 |
地址: | 加拿大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于将微装置集成于系统(受体)衬底中或在转移之后改进所述微装置的性能的后处理步骤。可使用例如反射层、填料、黑色矩阵或其它层的额外结构的后处理步骤以改进所产生的LED光的输出耦合或限制。在另一实例中,可使用电介质层及金属层以将光电薄膜装置与经转移微装置集成于所述系统衬底中。在另一实例中,将色彩转换层集成于所述系统衬底中以产生来自所述微装置的不同输出。 | ||
搜索关键词: | 系统 衬底 中的 装置 集成 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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