[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880048878.9 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110945633B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 河野宪司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L21/338;H01L29/808;H01L29/812 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具备：第1导电型的漂移层(13)；第1导电型的沟道层(14)，配置在漂移层(13)上；第1导电型的源极层(15)，形成在沟道层(14)的表层部；第2导电型的栅极层(16)，形成在沟道层(15)；第2导电型的体层(17)，形成在沟道层(15)；漏极层(11)，隔着漂移层(13)而配置在与源极层(15)相反的一侧；栅极布线(19)，与栅极层(16)电连接；第1电极(21)，与源极层(15)及体层(17)电连接；以及第2电极(22)，与漏极层(11)电连接。并且，在体层(17)的底部侧，与栅极层(16)的底部侧相比，使电场强度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
