[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置在审

专利信息
申请号: 201880051127.2 申请日: 2018-08-21
公开(公告)号: CN111052424A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 斋藤正路;远藤广明;小池文人 申请(专利权)人: 阿尔卑斯阿尔派株式会社
主分类号: H01L43/10 分类号: H01L43/10;G01R33/09;H01F10/30;H01F10/32;H01L43/08
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘英华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、高温条件下的稳定性高、并且强磁场耐性优的交换耦合膜(10)具备反强磁性层(2)及与强磁性层(2)接触的固定磁性层(3),反强磁性层(2)具有X1Cr层(其中,X1是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素)(2A)与X2Mn层(其中,X2是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素,而且与X1可以相同,也可以不同)(2B)交替地层叠而成的三层以上的交替层叠构造。
搜索关键词: 交换 耦合 以及 使用 磁阻 效应 元件 检测 装置
【主权项】:
暂无信息
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