[发明专利]薄型化板状部件的制造方法以及薄型化板状部件的制造装置在审
| 申请号： | 201880057309.0 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111095493A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 泉直史;山下茂之 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 韩锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 薄型化板状部件的制造方法的特征在于，具有向板状部件(WF)照射激光(LB)的激光照射工序和将板状部件(WF)沿着分割面(DP)分割而至少形成第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件的分割工序，在向板状部件(WF)照射激光的工序中，在板状部件(WF)的内部沿着分割面(DP)形成多个改性部，所述第一薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小，所述第二薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄型化板状 部件 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
