[发明专利]用于制造同质结光伏电池的方法有效
| 申请号： | 201880058748.3 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN111052408B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 拉斐尔·卡巴尔 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该方法包括以下步骤：a)提供晶体硅衬底(1)，其包括：‑第一表面(10)；‑第二表面(11)，其与所述第一表面(10)相对，并且覆盖有至少一层隧道氧化膜(2)；b)在所述隧道氧化膜(2)上形成多晶硅层；c)在所述多晶硅层的一部分(3a)上形成第一防反射层(4)，使得所述多晶硅层具有自由区域，所述第一防反射层(4)适于为多晶硅层(3)的所述部分(3a)的热氧化提供阻挡；d)使所述多晶硅层的自由区域热氧化，以便在所述自由区域上形成第二防反射层(5)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 同质 结光伏 电池 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和替代能源委员会，未经原子能和替代能源委员会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880058748.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
