[发明专利]具有竖直浮栅的NOR存储器单元有效
申请号: | 201880058770.8 | 申请日: | 2018-09-07 |
公开(公告)号: | CN111149189B | 公开(公告)日: | 2023-09-12 |
发明(设计)人: | 叶炳辉 | 申请(专利权)人: | 绿芯存储科技(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/788;H10B41/30 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 361006 福建省厦门市火*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 电可擦除可编程非易失性存储器单元包括:半导体衬底,其具有第一衬底区域以及在横向方向上与第一衬底区域分开的沟槽区域;沟道区域,其位于第一衬底区域和沟槽区域的底部部分之间;导电控制栅,其与第一沟道部分绝缘并设置在第一沟道部分之上;导电浮栅,其与沟槽区域的底部部分和侧壁部分绝缘;绝缘区域,其在控制栅和第二浮栅部分之间设置在第二沟道部分之上;导电源极线,其与浮栅绝缘并电连接到衬底的沟槽区域;以及导电擦除栅,其与浮栅的末端绝缘并设置在浮栅的末端之上。 | ||
搜索关键词: | 具有 竖直 nor 存储器 单元 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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