[发明专利]微蚀刻剂、铜表面的粗化方法以及配线基板的制造方法有效
| 申请号： | 201880058835.9 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111094628B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 荻野悠贵;坂本贵裕;漆畑薫 | 申请（专利权）人： | MEC股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H05K3/38 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李慧慧;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微蚀刻剂，所述微蚀刻剂包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。卤化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L。通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面。粗化时的深度方向的平均蚀刻量优选为0.4μm以下。本发明的微蚀刻剂即使在低蚀刻量下，也可于铜表面形成与树脂等的密合性优异的粗化形状。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 表面 方法 以及 配线基板 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
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